第0192章 第三代半导体材料（1/4） (第2/2页)

孝杰，然后面对慕景池说道：“他的研究比我要好，进展顺利得多。”

    “现在我们国家在第三代半导体上面已经是国际水平了，虽然和日本、欧洲和美国某些方面还有差距，但并不大，追赶起来还算是顺利。”

    很多人一说起半导体，首先想到的就是手机电脑上的硅芯片，但那是第一代半导体。

    第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP。

    还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

    而第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。

    其应用领域覆盖光电子、显示、消费电子、航空航天以及国防军工等。

    特别是国防军工领域，第三代半导体有着极其突出的应用优势。

    比如，诺斯罗普·格鲁曼公司便向美国海军陆战队交付采用大功率、高效率GaN天线技术的AN/TPS-80地/空多任务雷达（G/ATOR）系统。

    GaN天线技术可降低成本，并提高系统灵敏度和可靠性等多项性能，该雷达系统是先进的有源相控阵多任务雷达，可实时、360°全方位感知并应对直升机、无人系统、火箭炮等多种威胁。

    与现役雷达相比，不仅具备多任务能力，运维成本也比较低。

    还有雷神公司为美国国防部研发的一款用于攻击飞机、战术弹道导弹及巡航导弹的GEM-T，装有GaN发射器，在导弹服役的45年期间不需要重新认证。

    正因为如此，从一开始，国外就对华夏进行全方位的技术管控。

    不过，华夏在核心设备、衬底、外延材料以及相关芯片的研究上面，卓见成效，突破了国外的封锁。

    彭孝杰先是点点头，“他说的没错，但也还是有问题的。”

    “我主要负责的是国防军工方面，但在产业化的民营产业上面，还是和国外有差距的，没要做好产学研，产业链没有铺起来，高端精密制造还存在问题。”

    “在5G和汽车相关产业的材料应用方面，我们也走在了后面。”

    “美国的Qorvo推出56GHZ的GaNFEM，这款新型的FEM可实现体积更小、性能更强大、效率更高的毫米波相控系统，可将信号分配至有更高宽带需求的区域，为基站设备供应商最大限度地降低系统成本。”

    “而美国宾夕法利亚州萨克森堡的II-IV公司和日本的住友电工展开战略合作，建立垂直整合的75mm晶圆制造平台，制造用于5G无线网络的GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管器件。”

    “日本住友电工可是目前国际上面相5G大功率应用中，市场份额最大的公司，也是国内华为在5G低频大功率应用最大的供应商，尤其是在工作电源50V、输出功率大于300W的功率管方面，有着先进的工艺及优越的性能。”

    “还有罗姆半导体在原有的产品基础上推出了新型号的汽车级SiCMOSFET，已形成业界最大的符合AEC-Q101标准的汽车级SiC转换器提供高可靠性、高耐压性、低损耗的功率器件，推动电动汽车向环保和低耗的方向发展。”

    “日本的富士通，荷兰的恩智浦，瑞士的意法半导体，德国的英飞凌等公司在第三代半导体上都有着极强的商业优势。”

    慕景池听着彭孝杰侃侃而谈，他虽然是搞材料的，但这方面的知识几乎完全没有，此时听着也是很认真。

    彭孝杰说起自己专业方面的知识和商业市场，稳重而不张扬，也没有什么对国外的敬仰之情，语气间有一种我们也能做到的气魄。

    “目前，全球的第三代半导体电力电子产业格局是美国领跑、日本和欧洲紧随的态势，美国在全球SiC产业占有绝对优势，GaN领域也具有较为完整的产业链，产业链上下游均具备相应基础。”

    “欧洲方面SiC产业链完整，技术上具有较大优势；日本在GaN和SiC衬底的外延、器件制备和应用方面均已达到世界领先水平。”

    “我们当然也不差，华夏电科第十三研究所和五十五研究所建成了国际一流的芯片设计和加工平台，在SiC大功率器件、GaN高效率大功率以及GaN毫米波芯片领域，其技术实力已经占据世界领先地位。”

    “西安电子科技大学和中科院微电子研究所在外延材料生长、器件工艺以及芯片设计方面都形成了完整的技术体系。”

    “等等还有许多。。。”

    说起后面这些，彭孝杰也是深深的自豪。